Статья: Исследование кривизны поверхности гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs, Al2O3/AlxGa1-xN

Скачать

В работе представлены результаты исследований кривизны поверхности пластин с гетероэпитаксиальными структурами (ГЭС) AlGaN и InGaAs, выращенными методами МОС гидридной и молекулярно-лучевой эпитаксии, а также матриц фотоприемников, изготовленных на основе выше обозначенных ГЭС. Показано, что в процессе роста функциональных слоев пластины изгибаются. Так пластины с функциональными слоями InGaAs на подложке InP имеют вогнутый вид. Тогда как пластины с функциональными слоями AlGaN на сапфировой подложке имеют выпуклый вид со стороны ГЭС. В процессах роста функциональных слоев AlхGa1-х N на сапфировой подложке возникают растягивающие напряжения. Для процессов роста функциональных слоев InхGa1-хAs на подложке из фосфида индия характерны растягивающие напряжения. Величина прогиба пластин зависит как от способа выращивания, так и от толщин функциональных слоев ГЭС. Величина прогиба структур диаметром 52 мм в зависимости от способа выращивания и толщин слоев лежит в пределах 7—60 мкм. Измерения профиля кривизны изготовленных матричных фоточувствительных элементов на основе InGaAs и AlGaN формата 320256 с шагом 30 мкм показали, что величина прогиба на матрицах hl не превышает 1,02,5 мкм. Величина прогиба на матрицах определяется исходной кривизной поверхности пластин.

Информация о документе

Формат документа: PDF
Кол-во страниц: 1 страница
Загрузил(а): Шаронов Юрий
Лицензия: —
Доступ: Всем

Информация о статье

ISSN: 1996-0948
EISSN: 2949-561X
Журнал: Прикладная физика
Год публикации: 2016
Автор(ы): Шаронов Ю. П., Макарова Э. А., Седнев М. В., Ладугин М. А., Яроцкая И. В.
Ключевые фразы: гетероэпитаксиальная структура, ГЭС, AlGaN, InGaAs, кривизна поверхности
Каталог SCI: Физика
УДК: 621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
621.383. Фотоэлектроника

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.

Ранее вы смотрели (4)

01. Книга: Основы агрофизики

02. Статья: Разрешимость задачи Неймана для полигармонического уравнения в шаре

03. Статья: СОЗДАНИЕ ВЫСОКОПРОДУКТИВНЫХ ТРАВОСТОЕВ РАЙГРАСА ПАСТБИЩНОГО И ФЕСТУЛОЛИУМА С БОБОВЫМИ КУЛЬТУРАМИ

04. Книга: Практикум по геодезии

Все права на тексты и товарные знаки принадлежат их законным владельцам. Подробнее...

Сайт https://scinetwork.ru (далее – Сайт) представляет собой платформу, на которой пользователи самостоятельно добавляют и публикуют метаинформацию о материалах разных видов (названия, обложки, аннотации, данные об авторах и т.п.). Администрация Сайта не занимается самостоятельным сбором или первоначальной публикацией этих сведений.

Модерация контента

На Сайте действует постмодерация. Это означает, что материалы, добавляемые пользователями, становятся общедоступными сразу после публикации и проверяются Администрацией Сайта постфактум в разумные сроки.

Использование информации

Администрация Сайта не использует метаданные и обложки документов в коммерческих или рекламных целях для продвижения товаров или услуг и не заявляет о каких-либо правах на представленные объекты интеллектуальной собственности. Все права на документы и сопутствующие материалы принадлежат их законным правообладателям.

Отказ от гарантий

Администрация Сайта не гарантирует точность, полноту и достоверность метаинформации, размещенной пользователями, поскольку не осуществляет ее предварительную проверку.

Ответственность

Сайт носит исключительно информационно-справочный характер. Администрация Сайта не несет ответственности за содержание и достоверность информации, добавленной пользователями, а также за любые убытки, возникшие в связи с использованием или невозможностью использования Сайта и размещенной на нем информации.