Статья: Монолитная интегральная схема малошумящего усилителя Х-диапазона на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC

Разработана конструкция монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя диапазонов частот 8–12 ГГц. МИС усилителя изготовлена на гетероструктуре AlGaN/AlN/GaN на подложке SiC. Приведены результаты измерений параметров МИС.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2018
Автор(ы)
Гамкрелидзе С. А., Ильков В. К., Лисицкий А. П., Савельев Ю. Н.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.