Статья: ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В GAAS
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 108 см-2. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси.
Информация о документе
- Формат документа
 - Кол-во страниц
 - 1 страница
 - Загрузил(а)
 - Лицензия
 - —
 - Доступ
 - Всем
 
Информация о статье
- ISSN
 - 0021-3411
 - Префикс DOI
 - 10.17223/00213411/64/12/160
 - Журнал
 - ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ФИЗИКА
 - Год публикации
 - 2021
 
Статистика просмотров
Статистика просмотров статьи за 2025 год.