Статья: ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В ПРОЦЕССЕ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ В GAAS

Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп и переходными элементами), в зависимости от условий проведения диффузии. Показано, что в процессе диффузии примесей в диффузионных слоях GaAs происходит образование дислокаций, плотность которых в слоях, легированных до предельных поверхностных концентраций, может достигать 108 см-2. По мере уменьшения поверхностной концентрации диффундирующей примеси происходит уменьшение плотности дислокаций. Определены условия проведения диффузии, при которых дополнительные дислокации не образуются. На основании сопоставления полученных экспериментальных данных и результатов проведенного расчета сделан вывод о том, что образование дислокаций при диффузии примесей в GaAs обусловлено градиентом концентрации примеси.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
0021-3411
Префикс DOI
10.17223/00213411/64/12/160
Журнал
ИЗВЕСТИЯ ВУЗОВ. ФИЗИКА
Год публикации
2021
Автор(ы)
Хлудков С. С., Прудаев И. А., Ивонин И. В., Толбанов О. П.

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.

Ранее вы смотрели (9)