Книга: Безизлучательная рекомбинация в полупроводниках

В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрены: феиоменологическая теория рекомбинации; теоретические модели мелких и глубоких центров; каскадная модель захвата на притягивающие центры; захват, ограниченный диффузией; многофононные процессы; оже-процессы; влияние постоянных и переменных электрических полей на процессы рекомбинации и термической ионизации. Кратко рассмотрены рекомбинационные процессы в полупроводниковых квантовых структурах. Результаты теории сопоставляются с экспериментальными данными.
Для научных работников, преподавателей университетов, аспирантов и студентов.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
374 страницы
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о книге

ISBN
5867631117
Издательство
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Год публикации
1997
Автор(ы)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич
Библиографическая запись

С.-Петербург: Издательство «Петербургский институт ядерной физики им. Б. П.Константинова РАН», 1997. 376 стр., ил.

Ключевые фразы
безызлучательная рекомбинация, термическая ионизация, рекомбинация в полупроводниках