Статья: Метрологическое обеспечение цифровых измерений изображений неоднородности ямок травления в монокристаллах GaAs

Проведен анализ поля яркости панорамных изображений дислокационной структуры монокристаллов GaAs (100), выращенных методом Чохральского. Алгоритм порога бинаризации был выбран на основе учета закономерностей формирования поля яркости. Отличия в виде распределения значений интенсивности яркости пикселов (в 256 оттенках серого) были оценены по величинам коэффициентов асимметрии и эксцесса Показано, что при сшивке отдельных кадров может сформироваться характерный «темный каркас» (сетка) в местах наложения отдельных кадров. Установлено, что при асимметричном характере распределения экспериментальных выборок результатов измерений элементов структуры оценки их различий или сходства по критерию Стьюдента и Смирнова могут не совпадать.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-4-59-67
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2025
Автор(ы)
Комаровский Н. Ю., Князев С. Н., Суханова А. С., Антонова В. Е., Молодцова Е. В.

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.

Ранее вы смотрели (10)