Статья: Моно- и поликристаллические пленки германия и германий-олова, легированные атомами галлия в процессе газофазного

Моно- и поликристаллические пленки Ge и GeSn, in situ легированные атомами Ga, которые испарялись из источника Ge: Ga, выращивали методом HW CVD на подложках Si(100) и SiO2/Si(100). Методами рентгеновской дифракции, а также методами холловских измерений и CV-профилометрии исследованы их структурные и электрические свойства. При соиспарении легирующей примеси (Ga) из сублимирующего источника Ge: Ga в газофазном осаждении Ge с разложением GeH4 на «горячей нити», внедрение атомов Ga в растущую пленку контролировали путем изменения температуры подложки от 300 до 500 С или соотношения потоков Ga и Ge. Для повышения потока атомов Ga из источника Ge: Ga в нем формировали зону расплава, что позволило увеличить концентрацию дырок в поликристаллических пленках GeSn: Ga до 5,41019 см-3.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2025-4-74-80
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2025
Автор(ы)
Шенгуров В. Г., Титова А. М., Алябина Н. А., Денисов С. А., Чалков В. Ю., Бузынин Ю. Н.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.