Статья: Влияние кислородных преципитатов на темновой ток кремниевых фотодиодов

Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем
Просмотров
6

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2023-11-6-511-514
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2023
Автор(ы)
Вильдяева М. Н., Демидов С. С., Демидова Ю. С., Климанов Е. А., Хлызова У. Д., Скребнева П. С.
Ранее вы смотрели (10)