Статья: Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InSb(100) получена барьерно-диодная (nBn) структура с униполярным барьером In0,8Al0,2Sb. Кристаллическое совершенство структуры и её соответствие номинально заложенному дизайну подтверждено с помощью рентгеноструктурного анализа. Электронная подсистема полученной nBn-структуры охарактеризована с помощью измерений микроскопии растекания тока на сколе (011).

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2024
Автор(ы)
Савин К. А., Минаев И. И., Клековкин А. В., Ерошенко Г. Н., Николаев С. Н., Пручкина А. А., Пашкеев Д. А., Свиридов Д. Е.

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 - 2026 год.

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.