Статья: Исследование влияния на ВАХ матричных фоточувствительных элементов на основе XBn-InGaAs-структур характеристик процессов пассивации поверхности

Представлены результаты исследования влияния на вольтамперные характеристики (ВАХ) элементов матриц фоточувствительных элементов (ФЧЭ) на основе XBn-InGaAs структур характеристик формирования пассивирующего покрытия и используемых материалов, а также воздействие потока низкоэнергетичных ионов аргона. Пассивирующие покрытия получали методами магнетронного и резистивного напыления диэлектрических материалов сульфида цинка (ZnS), монооксида кремния (SiO) и фторида иттрия (YF3). Показано, что воздействие низкоэнергетичных ионов аргона приводит к катастрофическому увеличению темновых токов непассивированных элементов матриц.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2022-3-56-62
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2022
Автор(ы)
Трухачев А. В., Трухачева Н. С., Седнев М. В., Болтарь К.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.

Ранее вы смотрели (10)