Статья: Особенности подготовки подложек кадмий-цинк-теллур для выращивания эпитаксиальных слоев соединения кадмий-ртуть-теллур методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Твердый раствор кадмий-ртуть-теллур является в мире одним из основных материалов ИК-фотоэлектроники. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии обладает рядом преимуществ перед другими методами получения соединения кадмий-ртуть-теллур. Вместе с тем он достаточно требователен к подготовке подложек, предназначенных для ростовых процессов. Настоящая работа посвящена первичной отработке процессов полирования в освоении производства подложек кадмий-ртуть-теллур ориентации (211). Достигнутая шероховатость составила  1 нм.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Лицензия
Доступ
Всем
Просмотров
1

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2022-10-3-289-300
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2022
Автор(ы)
Трофимов А., Косякова А. М., Малыгин В. А., Суханова А. С., Денисов И. А., Смирнова Н. А.
Каталог SCI
Физика
Ранее вы смотрели (10)