Статья: Современное состояние разработок и исследований сверхрешеток II типа для приборов ИК-фотоэлектроники (обзор)

Рассмотрены основные свойства композиционных сверхрешеток II типа (T2SL). Приведено описание различных типов гетеропереходов, энергетических условий их реализации, а также представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований оптических и электрических свойств T2SL на основе InAs/GaSb, InAs/GaInSb и InAs/InAsSb. По результатам качественного анализа и оценки характеристик сверхрешеток II типа относительно классических полупроводниковых соединений, используемых в ИК-фотоэлектронике (HgCdTe, InSb и QWIP-структур), выявлены и описаны преимущества и недостатки T2SL. Проведено сравнение сверхрешеток
II типа на основе InAs/GaSb, InAs/GaInSb и InAs/InAsSb, по результатам которого показаны перспективы применения T2SL в технологии изготовления современных и перспективных фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2021-9-2-97-111
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2021
Автор(ы)
Ковшов В. С., Никонов А. В., Пашкеев Д. А.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.

Ранее вы смотрели (10)