Статья: Структурный массив фотодиодов с изменяемой площадью для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb

Предложены тестовые матричные структуры с изменяемой площадью p–n-переходов и топологией, идентичной топологии рабочих фотодиодных матриц формата 640512 с шагом 15 мкм, сформированные методами фотолитографии групп объединенных элементов на периферии рабочих пластин. Проанализированы возможности тестовых матричных структур для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb посредством измерения зависимостей темнового тока от отношения периметра к площади фотодиодов. Показано, что предложенные тестовые структуры позволяют определить источники темнового тока и существенно ускорить разработку новых пассивирующих покрытий в широкоформатных матричных фотоприемниках с малым шагом.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2025-13-1-21-29
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2025
Автор(ы)
Лопухин А. А., Пермикина Е. В., Шишигин С. Е., Мирофянченко А. Е.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.