Статья: Радиационная стойкость светоизлучающих и фотоприемных структур для оптоэлектронных пар на базе гетероэпитаксиальных слоев Ge/Si

Показан достаточно высокий уровень стойкости к -нейтронному излучению активных элементов оптоэлектронных пар: светоизлучающих структур с массивом Ge(Si) наноостровков и фотодиодов с эпитаксиальными слоями Ge/Si. Теоретические оценки доли наноостровков Ge(Si), теряющих свойства люминесценции при генерации радиационных дефектов, в первом приближении совпадают с экспериментальными данными по снижению интенсивности фото- и электролюминесценции облученных структур. Выполнение условия совместимости параметров светоизлучающих и фотоприемных структур оптоэлектронных пар обеспечивает регистрацию оптопарного эффекта при высоких уровнях воздействий.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
2307-4469
EISSN
2949-5636
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2025-13-3-201-208
Журнал
Успехи прикладной физики
Год публикации
2025
Автор(ы)
Иванова М. С., Кабальнов Ю. А., Скупов А. В.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2025 год.

Ранее вы смотрели (10)