Книга: Материаловедение полупроводников и диэлектриков

Рассмотрены свойства различных полупроводниковых и диэлектрических материалов и частично металлов, используемых в твердотельной электронике. Показано влияние природы химических связей, химического и фазового состава, атомной структуры и структурных несовершенств на свойства этих материалов. Проанализированы различные способы управления этими свойствами, способы легирования полупроводниковых и диэлектрических фаз, процессы распада пересыщенных твердых растворов и предраспадные явления, процессы геттерирования и другие. Рассмотрены фазовые и структурные превращения и их механизмы при кристаллизации, получении монокристаллов, поликристаллических и аморфных полупроводников и диэлектриков, пленок и многослойных гомо- и гетероэпитаксиальных композиций с заданными свойствами.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
432 страницы
Загрузил
Наумов Аркадий
Кол-во копий
1 копия
Лицензия
CC BY
Доступ
Всем

Информация о книге

Издательство
• МИСИС •, 2003
Год публикации
2003
Автор(ы)
С. С. Горелик, М. Я. Дашевский,
Библиографическая запись

Г68
Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. - М.: • МИСИС •, 2003. - 480 с.

Список литературы

Бокий Г. Б. Кристаллохимия. - 3-е изд. - М.: Наука, 1971. - 400 с.
Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. - М.: Наука, 1990. - 686 с.
Глазов В. М., Павлова Л. М. Химическая термо-динамика и фазовые равновесия. - М.: Металлургия, 1988. - 560 с.
Горбачев В. В., Спицына Л. Г. Физика полупро-водников и металлов. - М.: Металлургия, 1982. - 134 с.
Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. - М.: Металлургия, 1973. - 496 с.
Жуховицкий А. А., Шварцман Л. А. Физическая химия. - М.: Металлургия, 1987. - 688 с.
Золотухин И. В.. Калинин Ю. Е., Стогней О. В. Новые направления физического материаловедения. - Воронеж: Изд-во Воронежского государственного университета, 2000. - 360 с.
Иоффе А. Ф. Избранные труды: В 2-х т. - Л.: Наука. Ленинградское отд., 1974—1975.
Киреев П. С. Физика полупроводников. - М.: Высш, шк., 1969. - 590 с.
Киттелъ Ч. Введение в физику твердого тела / Пер. с англ. - М.: Наука, 1978. - 792 с.
Ковтуненко П. В. Физическая химия твердого тела (Кристаллы с дефектами). - М.: Высш, шк., 1993. - 352 с.
Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов / Пер. с англ. - М.: Мир, 1978. - 654 с.
Матвеев А. Н. Атомная физика. - М.: Высш, шк., 1989. - 440 с.
Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. - М.: Мир, 1991. - 670 с.
Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госу-дарственного университета им. Н. И. Лобачевского, 1993. - 490 с.
Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы элек-тронной техники. - М.: Высш, шк., 1986. - 368.
Питер Ю., Кардона М. Основы физики полу-проводников / Пер. с англ. - М.: Физматлит, 2002. - 560 с.
Рез И. С., Поплавко Ю. М. Диэлектрики. Основ¬ные свойства и применение в электронике. - М.: Радио и связь, 1989. - 273 с.
Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии / Пер. с англ. - М.: Мир, 1984. - 472 с.
Современная кристаллография: В 4-х т. / Под ред. Б. К. Вайнштейна. - М.: Наука, 1979—1989. (Сб. обзорных статей).

Ключевые фразы
полупровдники, диэлектрики, запрещенная зона.