Диссертация: МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ С ПОМОЩЬЮ МНОГОПРОЦЕССОРНЫХ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ ПРОЦЕССОВ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ВАКУУМНЫХ И ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРАХ

1. А.А. Самарский, А.П. Михайлов. Математическое моделирование. – М., Наука, Физматлит, 1997. – 320 с.

2. Ю.Р. Носов, К.О. Петросянц, В.А. Шилин. Математические модели элементов интегральной электроники. – М., Сов. радио, 1976. – 304 с.

3. S. Selberherr. Analysis and Simulation of Semiconductor Devices. – Wien, Springer-Verlag, 1984. – 293 p.

4. Simulation of semiconductor devices and processes: proc. of an int. conf. held at University College of Swansea, (Swansea, U.K. on July 9th-12th, 1984), Ed. by K. Board, D.R.J. Owen. – Pineridge Press, 1984. – 597 p.

5. Е.Е. Чахмахсазян, Г.П. Мозговой, В.Д. Силин. Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем. – М., Радио и связь, 1985. – 144 с.

6. Б.С. Польский. Численное моделирование полупроводниковых приборов. – Рига, Зинатне, 1986. – 168 с.

7. W.L. Engl. Process and device modeling. – North-Holland, 1986. – 461 p.

8. C.M. Snowden, E. Snowden. Introduction to Semiconductor Device Modelling. – World Scientific, Singapore, 1987. – 238 p.

9. Н. Влах, К. Сингхал. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. – М., Радио и связь, 1988. – 560 с.

10. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов. / Под ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема. – М., Радио и связь, 1988. – 496 с.

11. Р. Маллер, Т. Кейминс. Элементы интегральных схем. – М., Мир, 1989. – 630 с.

12. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. / Под ред. Д. Миллера. – М., Радио и связь, 1989. – 279 с.

13. С.Г. Мулярчик. Численное моделирование микроэлектронных структур. – Минск.,
    Университетское, 1989. – 368 с.

14. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов. – Вильнюс, Мокслас, 1989.
    – 264 с.

15. C.M. Snowden (Ed.). Semiconductor device modeling. – Berlin, Springer, 1989.

16. А.Н. Бубенников. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем.
    – М., Высш. школа, 1989. – 320 с.

17. А.И. Бурштейн. Физические основы расчёта полупроводниковых
    термоэлектрических устройств. – М, Физматлит, 1962. – 135 с.

18. М.С. Шур. Эффект Ганна. – Л., Энергия, 1971. – 78 с.

19. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твёрдых телах. –М., Мир, 1973. – 416 с.

20. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках. – М., Мир, 1973. – 456 с.

21. Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. – М., Мир, 1974, – 472 с.
    325

22. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. –
    Минск, Наука и техника, 1975. – 464 с.

23. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. – М., Мир,

24. – 432 с.

25. Ф. Платцман, П. Вольф. Волны и взаимодействия в плазме твердого тела. – М., Мир,

26. – 438 с.

27. А.С. Давыдов. Теория твердого тела. – М., Наука, 1976. – 640 с.

28. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. – М., Наука, 1977. –
    679 с.

29. К. Зеегер. Физика полупроводников. – М., Мир, 1977. – 615 с.

30. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. – М., Наука, 1977. – 358 с.

31. К. Шимони. Физическая электроника. – М., Энергия, 1977. – 608 с.

32. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. – М., Наука, 1978. – 616 с.

33. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. – М., Наука, 1978. – 792 с.

34. Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. Т. 1, 2. – М., Мир, 1979. – 399, 422 с.

35. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика. – М., Наука, 1979. – 448 с.

36. Рассеяние света в твердых телах. / Под ред. М. Кардоны. – М., Мир, 1979. – 392 с.

37. NASECODE I-X – Proc. of I-X Int. Conf. “Numerical Analysis of Semiconductor Devices
    and Integrated Circuits”. – Boole Press, 1979, 1981, 1983, 1985, 1987, 1989; Front Range
    Press, Colorado, 1991; James & James, London, 1992; Front Range Press, Colorado, 1993;
    James & James, London. 1994.

38. В.В. Горбачёв, Л.Г. Спицына. Физика полупроводников и металлов. – М.,
    Металлургия, 1982. – 336 с.

39. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1, 2. – М., Мир, 1984. – 454, 456 с.

40. И. Броудай, Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии. – М., Мир, 1985. –
    496 с.

41. Г.И. Епифанов, Ю.А. Мома. Твердотельная электроника. – М., Высшая школа, 1986.
    – 304 с.

42. Ю.Р. Носов, В.А. Шилин. Основы физики приборов с зарядовой связью. – М., Наука,

43. – 320 с.

44. Дж. Блейкмор. Физика твёрдого тела. – М., Мир, 1988. – 608 с.

45. Ю.Р. Носов. Оптоэлектроника. – М., Радио и связь, 1989. – 360 с.

46. Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника. – М., Высшая школа, 1991.
    – 351 с.

47. Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э. Гринич. Электроника ультрабольших интегральных схем. –
    М., Мир, 1991. – 327 с.

48. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия.– М., Мир, 1991. – 632 с.

49. Дж. Слэтер. Диэлектрики, полупроводники, металлы. – М., Мир, 1969. – 648 с.

50. О. Маделунг. Теория твёрдого тела. – М., Наука, 1980. – 418 с.

51. У. Фано, А. Фано. Физика атомов и молекул. – М., Наука, 1980. – 656 с.
    326

52. А. Анималу. Квантовая теория кристаллических твердых тел. –М., Мир, 1981. – 576 с.

53. Ф. Бассани, Дж.П. Парравичини. Электронные состояния и оптические переходы в
    твердых телах. – М., Мир, 1982. – 392 с.

54. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической
    связи. Т. 1,2. – М., Мир, 1983. – 381, 334 с.

55. О. Маделунг. Физика твёрдого тела. Локализованные состояния. – М., Наука, 1985. –
    184 с.

56. К. Борен, Д. Хафмен. Поглощение и рассеяние света малыми частицами. – М., Мир,

57. – 661 с.

58. М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. – М., Мир, 1989. – 240 с.

59. C. Jacoboni, P. Lugli. The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation. –
    Wien, Springer-Verlag, 1989.

60. S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Linear and nonlinear optical properties of
    semiconductor quantum wells // Advances in Phys. – 1989. – V. 38 (2), pp. 89-188.

61. Э. Зенгуил. Физика поверхности. – М., Мир, 1990. – 536 с.

62. K. Hess (Ed.). Monte Carlo Device Simulation, Full Band and Beyond. – Boston, Kluwer,

64. Н.Н. Моисеев. Асимптотические методы нелинейной механики. – М., Наука, 1969. –
    379 c.

65. A. Bensoussan, I.-L. Lions, G. Papanicolaou. Asymptotic methods in periodic structures. –
    North Holland, Amsterdam, Elsevier, 1978. – 721 p.

66. Маслов В.П. Асимптотические методы и теория возмущений. – М., Наука, 1988. –
    312 c.

67. M.H. Holmes. Introduction to Perturbation Methods. – Springer, 1998. – 351 p.

68. H. Cheng. Advanced Analytic Methods in Applied Mathematics, Science, and
    Engineering. – Luban Press, 2005. – 502 p.

69. G.A. Pavliotis and A.M. Stuart. Multiscale Methods: Averaging and Homogenization. –
    Springer, 2008. – 307 p.

70. В.И. Большаков, И.В. Андрианов, В.В. Данишевский. Асимптотические методы
    расчета композитных материалов с учетом внутренней структуры. –
    Днепропетровск, Пороги, 2008. – 196 c.

71. K. Tomizawa. Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Devices (The Artech
    House Materials Science Library). – Artech House, Incorporated, 1993.

72. D. Reid, A. Asenov, J.R. Barker, S.P. Beaumonl. Parallel Simulation of Semiconductor
    Devices on MIMD Machines. / Proc. of the 2nd International Workshop on Computational
    Electronics (IWCE-2), Leeds, UK, Leeds University (1993), ed C. Snowden, pp. 161-165.
    (http://in4.iue.tuwien.ac.at/pdfs/iwce/iwce2_1993/pdfs/pp161-165.pdf)

73. A.R. Brown, A. Asenov, S. Roy, J.R. Barker. Development of a Parallel 3D Finite Element
    Power Semiconductor Device Simulator. / Proc. IEE Colloquium on Physical Modeling of
    327
    Semiconductor Devices, Digest No. 1995/064, 1995, p. 2/1–2/6.
    (http://www.elec.gla.ac.uk/ groups/ dev_mod/ papers/iee/iee.pdf)

74. H. Sheng, R. Guerrieri, A.L. Sangiovanni-Vincentelli. Parallel and Distributed Three-
    Dimensional Monte Carlo Semiconductor Device Simulation. – University of California,
    Berkeley, Technical Report No. UCB/ERL M95/52, 1995 (http://www.eecs.berkeley.edu/
    Pubs/TechRpts/1995/ERL-95-52.pdf)

75. A. Lumsdaine, J.M. Squyres, J.K. White. Accelerated Waveform Methods for Parallel
    Transient Simulation of Semiconductor Devices. // IEEE Transaction On Computer-Aided
    Design of Integrated Circuits and Systems, 1996, 15(7), pp. 716-726.

76. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в
    полупроводниках. – СПб., Петербургский институт ядерной физики РАН, 1997. –
    376 с.

77. K.M. Kramer, W. Nicholas G. Hitchon. Semiconductor devices: a simulation approach. –
    Prentice Hall PTR, 1997. – 707 p.

78. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and other heterostructures. // Solid State Science.
    – 1997. – V. 110.

79. S.V. Gaponenko. Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. –Cambridge,
    Cambridge University Press, 1998.

80. A.M. Anile, W. Allegretto, Ch.A. Ringhofer. Mathematical problems in semiconductor
    physics: lectures given at the C.I.M.E. summer school held in Cetraro, Italy, July 15-22,

81. – Springer, 2003. – 141 p.

82. M. Lundstrom. Fundamentals of Carrier Transport. – Boston, Cambridge University Press,

84. D. Bimberg, M. Grundman, N.N. Ledentsov. Quantum dot heterostructures. – NY., J.
    Wiley, 1999.

85. K.F. Brennan. The physics of semiconductors: with applications to optoelectronic devices.
    – Cambridge University Press, 1999. – 762 p.

86. Y. Tsividis. Operational Modeling of the MOS Transistor. 2nd Edition. – McGraw-Hill,
    New York, 1999.

87. А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. Электронные процессы в твёрдотельных системах
    пониженной размерности. – Новосибирск, Изд-во Новосибирского университета,

88. – 448 с.

89. Л.Е. Воробьев, Л.Г. Голуб, С.Н. Данилов, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин.
    Оптические явления в полупроводниковых квантово-размерных структурах. – СПб.,
    СПб ГТУ, 2000.

90. Г.С. Полтников, Г.Б. Зайцев. Физические основы молекулярной электроники. – М.,
    Физ. ф-т МГУ, 2000. – 164 с.

91. М. Праттон. Введение в физику поверхности. – М., Ижевск: R&C Dynamics, 2000. –
    250 с.
    328

92. А.Я. Шик, Л.Г. Бакуева, С.Ф. Мусихин, С.А. Рыков. Физика низкоразмерных систем.
    – СПб., Наука, 2001.

93. Y. Li, J.-L. Liu, T.-S. Chao, S.M. Sze. Parallel Dynamic Partition and Adaptive
    Computation in Semiconductor Device Simulation. / Proc. of The 10th SIAM Conference
    on Parallel Processing for Scientific Computing, (SIAM PP01), Virginia, March 2001, pp.
    685-694.

94. П. Ю, М. Кардона. Основы физики полупроводников. – М., Физматлит, 2002. – 560 с.

95. В.Г. Вакс. Межатомные взаимодействия и связь в твердых телах. – М., ИздАТ, 2002.
    – 256 с.

96. J.-C. Rioual. Solving linear systems for semiconductor device simulations on parallel
    distributed computers. LE TITRE DE DOCTEUR DE L’INSTITUT NATIONAL
    POLYTECHNIQUE DE TOULOUSE, 23 Avril 2002. – France, Toulouse, National
    Polytecnique Institute, 2002. – 105 p. (http://www.cerfacs.fr/algor/reports/Dissertations/
    TH_PA_02_49.pdf)

97. F.S. Levin. An introduction to quantum theory. –Cambridge University Press, 2002.–793 p.

98. И.И. Бобров. Физические основы электроники. – Пермь, ПГТУ, 2003. – 158 с.

99. В. Денисенко. Моделирование МОП транзисторов // Компоненты и технологии, 2004,
    No 7, с.26-29; No 8 с. 56-61; No 9, с.32-39.

100. E. Kasper, D.J. Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium
     Heterostructure Devices. – Berlin, Springer, 2005. – 367 p.

101. Н.Б. Брандт, В.А. Кульбачинский. Квазичастицы в физике конденси-рованного
     состояния. – М., Физматлит, 2005. – 632 с.

102. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. – М., Физматлит, 2005.
     – 412 c.

103. Оптика наноструктур. / Под ред. Федорова А.В. – СПб., Недра, 2005. – 326 с.

104. Е.Л. Ивченко. Физика Низкоразмерных Систем. – СПб., ФТИ им. Иоффе, 2006. – 41c.

105. N. Seoane, A.J. Garcıa-Loureiro, K. Kalna, A. Asenov. A High-Performance Parallel
     Device Simulator for High Electron Mobility Transistors. / Proc. of the International
     Conference ParCo 2005, G.R. Joubert, W.E. Nagel, F.J. Peters, O. Plata, P. Tirado, E.
     Zapata (Editors), John von Neumann Institute for Computing, J ̈ulich,NIC series, v. 33, pp.
     407-414. (http://www.fz-juelich.de/nic-series/volume33/407.pdf).

106. H. Takemiya, Y. Tanaka, S. Sekiguchi, S. Ogata, R.K. Kalia, A. Nakano, P. Vashishta.
     Sustainable Adaptive Grid Supercomputing: Multiscale Simulation of Semiconductor
     Processing across the Pacific. / Proc. of Int. Conf. “High Performance Computing,
     Networking, Storage and Analysis (SC06)”, (November 2006, Tampa, Florida, USA),

107. pp. 1-11. (http://cacs.usc.edu/ education/cs596/Takemiya-GridQMMD-SC06.pdf)

108. Yu. Gogotsi (Ed.). Nanomaterials. Handbook. – CRC Press, 2006. – 780 p.

109. Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний – материал наноэлектроники. – М.,
     Техносфера, 2007. – 352 с.
     329

110. N. Arora. Mosfet Modeling for VLSI Simulation: Theory And Practice. – World Scientific
     Publishing Company, 2007. – 632 p.

111. T. Grasser, S. Selberherr. Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007 /
     SISPAD 2007. – Springer, 2007. – 460 p.

112. S. Bounanos, M. Fleury, S. Nicolas, and A. Vickers. Load-balanced drift-diffusion model
     simulation: cluster software performance evaluation. // Journal of High Performance
     Computing Applications, 2007, 21(2), pp. 222-245. (http://privatewww.essex.ac.uk/
     ~fleum/bounanosFleury.pdf).

113. Н.Н. Дегтяренко. Описание программных пакетов для квантовых расчётов
     наносистем. – М., МИФИ, 2008. – 180 с.

114. X. Ye, W. Dong, P. Li, S. Nassif. MAPS: Multi-Algorithm Parallel Circuit Simulation. /
     IEEE/ACM Int. Conf. Computer-Aided Design (ICCAD08) (San Jose, California,
     November 10-13, 2008), Digest of Tech. Papers, pp. 73-78. (http://www.cecs.uci.edu/
     ~papers/ iccad08/PDFs/Papers/ 01D.1.pdf)

115. А.М. Ефремов. Физические основы моделирования электронных приборов. – 2009.
     (http://www.1024.ru/science/txt/mesfet.html)

116. F. Benatti. Dynamics, Information and Complexity in Quantum Systems (Theoretical and
     Mathematical Physics). – Springer, 2009. – XII, 536 p.

117. Bharat Bhushan (Ed.). Springer Handbook of Nanotechnology. – Springer-Verlag, Berlin,
     Heidelberg, 2010. – XLVII, 1961 p.

118. P.O.J. Scherer. Computational Physics: Simulation of Classical and Quantum Systems. –
     Springer, 2010. – XV, 319 p.

119. Y. Tsividis, C. McAndrew. Operation and Modeling of the MOS Transistor (Oxford Series
     in Electrical and Computer Engineering). – Oxford University Press, 2010. – 752 p.

120. D. Vasileska, S.M. Goodnick. Computational Electronics: Semi-Classical and Quantum
     Device Modeling and Simulation. – CRC Press, 2010. – 782 p.

121. D. Vasileska. Transport Modeling. – Arizona State University, 2010. – 241 p.
     (http://www.qn-research.com/Computational_Electronics_Tutorial.pdf)

122. И.М. Ибрагимов, А.Н. Ковшов, Ю.Ф. Назаров. Основы компьютерного
     моделирования наносистем. – СПб., Лань, 2010. – 384 с.

123. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Механика сплошных сред. – М., Гостехтеоретиздат,

125. Л.И. Седов. Механика сплошной среды. Том 1, 2. – М., Наука, 1974.

126. А.А. Ильюшин. Механика сплошной среды. – M., МГУ, 1990.

127. В.А. Алешкевич, Л.Г. Деденко, В.А. Караваев. Механика сплошных сред. Лекции. –
     М., Физфак МГУ, 1998.

128. N. Metropolis, S. Ulam. The Monte Carlo Method. // J. Amer. statistical assoc. 1949,
     44(247), pp. 335-341.

129. И.М. Соболь. Численные методы Монте-Карло. – M., Наука, 1973. - 312 c.

130. И.М. Соболь. Метод Монте-Карло. – М., Наука, 1978.
     330

131. С.М. Ермаков. Метод Монте-Карло и смежные вопросы. – М. Наука, 1985.

132. Н.А. Михайлов, А.В. Войтишек. Численное статистическое моделирование. Методы
     Монте-Карло. – M., Academia, 2006. – 368 c.

133. B.J. Alder, T.E. Waingwright. Thase transition for hard sphere system. // J. Chem. Phys.
     1957, v. 27, pp. 1208-1209.

134. J.B. Gibson, A. N. Goland, M.Milgram, G.H. Vineyard. Dynamics of Radiation Damage. //
     Phys Rev, 1960, v. 120, pp. 1229-1253.

135. A. Rahman. Correlations in the motion of atoms in liquid argon. // Phys. Rev., 1964, v.
     136A, pp. 405-411.

136. L. Verlet. Computer Experiments on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of
     Lennard-Jones Molecules. // Phys Rev, 1967, v. 159, pp. 98-103.

137. G.C. Schatz, A. Kopperman. Quantum mechanical reactive scattering: An accurate three-
     dimensional calculation. // J. Chem. Phys., 1975, v. 62 , pp. 2502-2504.

138. Л.Н. Лагарьков, В.М. Сергеев. Метод молекулярной динамики в статистической
     физике. // Успехи физических наук, 1978, 125(3), с. 409-480.

139. У. Буркерт, Н. Аллинжер. Молекулярная механика. – М., Мир, 1986. –364 с.

140. M.P. Allen, D.I. Tildesley. Сomputer Simulation of Liquids. – Clarendon Press, Oxford. –

141. – 400 p.

142. J.M. Haile. Molecular dynamics simulation: Elementary Methods. – Wiley-Interscience,
     New York, 1992.

143. D.C. Rapaport. The Art of Molecular Dynamics Simulation. – Cambridge, Cambridge,

145. Ю.К. Товбин. Метод молекулярной динамики в физической химии. – М., Наука,

146. – с. 334.

147. D. Frenkel, B. Smit. Understanding Molecular Simulation. From Algorithms to
     Applications. – Academic Press, 2002. – 638 p.

148. И.В. Морозов, Г.Э. Норман. Столкновения и плазменные волны в неидеальной
     плазме. // ЖЭТФ, 2005, 127(2), с. 412-430.

149. Р. Хокни, Дж. Иствуд. Численное моделирование методом частиц. – М., Мир, 1987.
     – 640 с.

150. В.M. Замалин, Г.Э. Норман, В.С. Филинов. Метод Монте-Карло в статистической
     термодинамике. – М., Наука, 1977. – 228 c.

151. А.М. Попов. Вычислительные нанотехнологии. – M., Издательский отдел факультета
     ВМиК МГУ им. М.В.Ломоносова; МАКС Пресс, 2009. – 280 с.

152. R. Car, M. Parrinello. Unified approach for molecular dynamics and density functional
     theory. // Phys. Rev. Lett. 1985, 55, pp. 2471-2474.

153. А.Р. Хохлов, А.Л. Рабинович, В.А. Иванов. Методы компьютерного моделирования
     для исследования полимеров и биополимеров. – М., МГУ, 2009. – 696 с.

154. Й. Имри. Введение в мезоскопическую физику. – М., Физматлит, 2002. – 304 с.
     331

155. R. Stratton. Diffusion of hot and cold electrons in semiconductor barriers. // Phys. Rev.,
     1962, 126(6), pp. 2002-2014.

156. R. Bosch, H.W. Thim. Computer simulation of transferred electron devices using the
     displaced Maxwellian approach. // IEEE Trans., 1974, ED-21(1), pp. 16-25.

157. К. Черчиньяни. Теория и приложения уравнения Больцмана. – М., Мир, 1978. – 496 с.

158. W.R. Curtice, Y.-H. Yun. A temperature model for the GaAs MESFET. // IEEE Trans.,
     1981, ED-28(8), pp. 954-962.

159. R.K. Cook, J. Frey. An efficient technique for two-dimensional simulation of velocity
     overshoot effects in Si and GaAs devices // COMPEL, 1982, 1(2), pp. 65-87.

160. R.K. Mains, G.I. Haddad, P.A. Blakey. Simulation of GaAs IPATT diodes including
     energy and velocity transport equations // IEEE Trans., 1983, ED-30(10), pp. 1327-1338.

161. V.I. Ryzhii, N.A. Bannov, V.A. Fedirko. Ballistic transport in semiconductors. // Sov. Phys.
     Semicond., 1984, 18, p. 481.

162. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. Баллистический и квазибаллистический
     транспорт в полупроводниковых структурах. // ФТП, 1984, 18(5), с. 769.

163. Н.А. Баннов, В.И. Рыжий. Проблемы математического моделирования
     субмикронных элементов интегральной электроники. // Электронная
     промышленность, 1984, вып. 9, с. 3-7.

164. А.А. Кокин, В.И. Толстихин. О моделировании процессов переноса в монополярных
     полупроводниковых структурах с субмикронными размерами. // Микроэлектроника,
     1984, 13(1), с. 24-40.

165. C.M. Snowden, D. Loret. Two-dimensional hot-electron models for short-gate-length GaAs
     MESFET’s. // IEEE Trans., 1987, ED-34(2), pp. 212-223.

166. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов. Математическое моделирование субмикронных элементов
     интегральной электроники: состояние и проблемы. // Микроэлектроника, 1987, 16(6),
     с. 484-496.

167. Y.-K. Feng, A. Hintz. Simulation of submicrometer GaAs MESFET’s using full
     hydrodynamic model // IEEE Trans., 1988, ED-35(9), pp. 1419-1431.

168. Л.Ю. Бирюкова, В.А. Николаева, В.И. Рыжий, Б.Н. Четверушкин. Алгоритмы
     квазигидродинамической модели для расчета процессов в электронной плазме
     субмикронных полупроводниковых структур. // Матем. моделирование, 1989, 1(5), c.
     11–22.

169. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика.Ч. 1. – М., Наука, 1976.

170. И.И. Ляпилин. Введение в теорию кинетических уравнений. – Екатеринбург, УГТУ-
     УПИ, 2004. – 332 с.

171. Ж.А. Биттенкорт. Основы физики плазмы. / Пер. с англ. под общ. ред. Л.М.
     Зеленого. – М. Физматлит, 2009. – 584 с.

172. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Учебное пособие для вузов в
     десяти томах. Том III. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. – М.,
     Физматлит, 2008. – 808 с.
     332

173. CUDA: Новая архитектура для вычислений на GPU. (http://www.nvidia.ru/content/
     cudazone/download/ru/CUDA_rus.pdf).

174. PARIX Release 2.1. – Parsytec Computer GmbH, 1993. – 500 c.

175. A. Geist, A. Beguelin, J. Dongarra, W. Jiang, R. Manchek, V. Sunderam. PVM 3 User’s
     Guide and Reference Manual // Technical report, Oak Ridge National Laboratory
     ORNL/TM-12187. – 1993.

176. http://www.mpi-forum.org/ – Сайт стандартов MPI.

177. D.W. Walker. The design of a standard message-passing interface for distributed memory
     concurrent computers // Parallel Computing, 1994, 20(4), pp. 657-673.

178. OpenMP Forum, “OpenMP: A Proposed Industry Standard API for Shared Memory
     Programming,” October, 1997. (http://www.openmp.org.)

179. Н.А. Коновалов, В.А. Крюков, С.Н. Михайлов, А.А. Погребцов. FORTRAN DVM –
     язык для разработки мобильных параллельных программ // Программирование,
     1995, 1, c. 49-54.

180. Н.А. Коновалов, В.А. Крюков, Ю.Л. Сазанов. C-DVM – язык разработки мобильных
     параллельных программ // Программирование, 1999, 1, c. 54-65.

181. А.С. Антонов. Введение в параллельные вычисления. – М., Изд-во МГУ, 2002. – 69 с.

182. В.А. Крюков. Разработка параллельных программ для вычислительных кластеров и
     сетей. // Информационные технологии и вычислительные системы. 2003, 1-2, с. 42-

184. К.Ю. Богачев. Основы параллельного программирования. – М., БИНОМ.
     Лаборатория знаний, 2003. – 342 с.

185. А.С. Антонов. Параллельное программирование с использованием технологии MPI.
     – М., Изд-во МГУ, 2004. – 71 с.

186. М.В. Якобовский, Е.Ю. Кулькова. Решение задач на многопроцессорных
     вычислительных системах с разделяемой памятью. – М., “СТАНКИН”, 2004. – 30 с.

187. А.С. Антонов. Параллельное программирование с использованием технологии
     OpenMP. – М., Изд-во МГУ, 2009. – 77 с.

188. A.L. Mc Whorter, R.H. Rediker. // Proc. IRE, 1959, 47(7), p. 1207.

189. P. Hendriks, E. Zwaal, J.G.A. Dubois, F. Blom, and J. Wolter. Electric field induced
     parallel conduction in GaAs/AlGaAs. // J. Appl. Phys., 1991, 69(1), pp. 302–306.

190. E.A.E. Zwaal, M.J.M. Vermuelen, P.Hendriks, J. E. M. Haverkort, and J. H. Wolter.
     Observation of current filaments in GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures using a time
     resolved imaging technique. // J. Appl. Phys., 1992, 71(7), pp. 3330-3335.

191. E.A.E. Zwaal, P. Hendriks, M.J.M. Vermuelen, P. T. J. van Helmond, J. E. M. Haverkort,
     and J. H. Wolter. Origin of current instabilities in GaAs/AlxGa1−xAs heterostructures:
     Avalanche ionization in the AlxGa1−xAs layer. // J. Appl. Phys., 1993, 73(5), pp. 2381-

193. J.H. Wolter, J.E.M. Hakerkort,P. Hendriks, E.A.E. Zwaal. Real-space transfer and current
     filamentation in AlGaAs/GaAs heterojunctions subjected to high-electric fields. / In:
     345
     “Ultrafast Phenomena in Semiconductors”, David K. Ferry; Henry M. van Driel (editors),
     SPIE Proc., 1994, v. 2142, pp.296-313.

194. L.L.Bonilla, S.M. Teitsworth. // Physica D, 1991, 50, p. 545.

195. L.L.Bonilla. // Phys. Rev. B, 1992, 45, p. 11642.

196. A.M. Kahn, D.J. Mor, and R.M. Westerfeld. // Phys. Rev. B, 1992, 45, p. 8342.

197. K. Aoki, K. Yamamoto, N. Mugibayshi. // J. Phys. Soc. Jap., 1988, 57, p. 26.

198. G. Hupper and E. Schoell. // Phys. Rev. Lett., 1991, 66, p. 2372.

199. J. Spangler, U. Margull, W. Prettl. // Phys.Rev. B, 1992, 45, 12137.

200. Э. Шёлль. Самоорганизация в полупроводниках. – М., Мир, 1991. – 459 с.

201. W. Clauss, A. Kittel, U. Rau, J. Parisi, J. Peinke and R.P. Huebener. // Europhys. Lett., 12,
     423 (1990)

202. O.A. Рябушкин, В.А. Бадер, Д.Ю. Бабкин. // Письма в ЖТФ, 1992, 18, c. 56.

203. O.A. Ryabushkin, V.A. Sablikov, N.S. Platonov, et al.. / Proc. of SPIE’s 1992 Intern.
     Symposium on Optical Appl. Science and Engineering, San Diego, USA, 1992, 1751, pp.
     189-196.

204. A.A. Kastalskiy. // Phys. stat. solidi (a), 1973, 15, p. 599.

205. E. Schoell. // Z. Phys. B - Condensed Matter, 1982, 46, p. 23.

206. И. Акасахи, Т. Хара. / Труды IX международной конференции по физике полу-
     проводников, т. 2, с. 833. – Л., Наука, 1969.

207. J. Parizi, U. Rau, J. Peinke, K.M. Mayer. // Z. Phys. B - Condensed Matter, 1988, 72, p.

209. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган. // УФН, 1968, 96, c. 633.

210. Z.S. Kachlishvili. // Phys. stat. sol.(b), 1971, 48, p. 65.

211. Л.А. Вайнштейн, И.И. Собельман, Е.А. Юков. Возбуждение атомов и уширение
     спектральных линий. – М., Наука, 1979. – 319 c.

212. В.Ф. Банная, Л.И. Веселова, Е.М. Гершензон, В.А. Чуенков, // ФТП, 1973, 7, c. 1972.

213. В.Ф. Гантмахер, И.В. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и
     полупроводниках. – М., Наука, 1984. – 352 c.

214. Б.И. Шкловский, А.А. Эфрос. Электронные свойства легированных полупро-
     водников. – М., Наука, 1979. – 416 с.

215. Ю.Я. Ткач, Е.В. Ченский. // ЖЭТФ, 1992, 100, p. 1683.

216. A.L. Efros, Nguen Van Lien, B.I. Shklovskii. // J. Phys. C, 1979, 12, p. 1869.

217. Н.В. Агринская, В.И. Козуб. // ЖЭТФ, 1991, 99, p. 929.

218. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. // ФТП, 1978, 12, p. 3.

219. G.R. Allan, A.Black, C.R. Pidgeom, E. Gornik et al. // Phys.Rev. B, 1985, 31, p. 3560.

220. T. Kurosawa. // J. Phys. Soc. Japan, 1965, 20, p. 1405.

221. Б.И. Шкловский. // ФТП, 1979, 13, p. 93.

222. G.D. Gilliland, D.J. Wolford, T.F. Kuech, J.A. Bradley. // Appl. Phys. Lett., 1991, 59, p.

346
451. G.D. Gilliland, D.J. Wolford, T.F. Kuech, J.A. Bradley, H.P. Hjalmarson. // J. Appl. Phys.,
1993, 73, p. 8386.
452. Z.W. Wang, J. Windscheif, D.J. As, W. Jantz. // J. Appl. Phys., 1993, 73, p. 1430.
453. Q.X. Zhao, B. Monemar, P.O. Holtz, T. Lundstrom, M. Sundarat, J.L. Merz, A.C.
Gossardet. // Phys. Rev. B, 1994, 50, p. 7514.
454. И.А. Авруцкий, О.П. Осауленко, В.Г. Плотченко, Ю.Н. Пырков. // ФТП, 1992, 26, p.
1907.
455. J.S. Massa, G.S. Buller, A.C. Walker, G. Horsburgh, J.T. Mullins, K.A. Prior, B.C.
Cavenett. // Appl. Phys. Lett., 1995, 66, p. 1346.
456. M. Sydor, J.R. Engholm, M.O. Manasreh, et al. Indirect photoreflectance from high-
electron-mobility transistor structures. // Physical Review B, 1992, 45(23), pp. 13796-
13798.
457. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. – М., Энергия, 1976. – 416 с.
458. J.S. Blakemore // J.Appl.Phys.,{\bf 53}, R123 (1982)
459. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. // ФТП, {\bf 10}, 209 (1976)
460. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. – М., Наука,
1971. – 480 с.
461. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир,
1985. – с.
462. С.М. Рывкин, Д.В. Тархин. // ФТП, 1973, 7, p. 1447.
463. J.E. Carnes, W.F. Kosonocky, E.F. Ramberg. // IEEE Trans. Electron. Dev., 1972, ED-19,
p. 798.
464. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, С.М. Рывкин, О.М. Сресели, Р.А. Сурис. // ФТП, 1979, 13,
p. 2173.
465. А.Г. Денисов, Г.С. Дорджин, Ю.Г. Садофьев, Л.В. Шаронова, А.Я. Шик, Ю.В.
Шмарцев. // ФТП, 1982, 16, p. 2152.
466. O.A. Ryabushkin, V.A. Sablikov, V.G. Mokerov, Yu.V. Fyodorov. // International
Symposium ‘NANOSTRUCTURES: Physics and Technology - 95’, St.-Petersburg, Russia,
1995, Abstracts of invited lectures and contributed papers, pp. 52-55.
467. В.Е. Борисенко, А.И. Воробьева, Е.А. Уткина. Наноэлектроника. – М., БИНОМ.
Лаборатория знаний, 2009. – 224 с.
468. А.Н. Игнатов, Н.Е. Фадеева, В.Л. Савиных. Классическая электроника и
наноэлектроника. – М., Флинта, 2009. – 728 с.
469. С.С. Аплеснин. Основы спинтроники. – М., Лань, 2010. – 288 с.
470. S.A. Wolf, D.D. Awschalom, R.A. Buhrman, J.M. Daughton, S. von Molnar, M.L. Roukes,
A.Y. Chtchelkanova, and D.M. Treger. A Spin-Based Electronics Vision for the Future. //
Science, 294, pp. 1488-1495 (2001).
471. S.M. Cronenwett, H.J. Lynch, D. Goldhaber-Gordon, L.P. Kouwenhoven, C.M. Marcus, K.
Hirose, N. S. Wingreen, and V. Umansky. Low-Temperature Fate of the 0.7 Structure in a
347
Point Contact: A Kondo-like Correlated State in an Open System. // Phys. Rev. Lett.,
88(22), p. 6805 (2002).
472. D. J. Reilly, T. M. Buehler, J. L. O’Brien, A. R. Hamilton, A. S. Dzurak, R. G. Clark, B. E.
Kane, L. N. Pfeiffer, and K. W. West. Density-Dependent Spin Polarization in Ultra-Low-
Disorder QuantumWires. // Phys. Rev. Lett., 89(24), p. 6801 (2002).
473. K. Hirose, Y. Meir, and N.S.Wingreen. Local Moment Formation in Quantum Point
Contacts. // Phys. Rev. Lett., 90(2), p. 6804 (2003).
474. A.C. Graham, K.J. Thomas, M. Pepper, N.R. Cooper, M.Y. Simmons, and D.A. Ritchie.
Interaction Effects at Crossings of Spin-Polarized One-Dimensional Subbands. // Phys.
Rev. Lett., 91(13), p. 6404 (2003).
475. Jonathan P. Bird and Yuichi Ochiai. Electron Spin Polarization in Nanoscale
Constrictions. // Science, 303(3), p. 1621 (2004).
476. У. Харрисон. Теория твердого тела. – М., Мир, 1972. – 616 с.
477. D. Temple. // Mater. Scie. & Engineer. 1999. V. R24. P. 185-239.
478. Н.А. Дюжев, Ю.И. Тишин, В.А. Федирко. // Электронная промышленность: наука,
технология, изделия, 2004, 3, с. 55-58.
479. K.L. Jnsen, R.J. Nemanich, P. Holloway, T. Trottier, W. Mackie, D. Temple, J. Itoh.
Electron-Emissive Materials, Vacuum Microelectronics and Flat-Panel Displays. / Pub.
Materials Research Society, 2004.
480. Татаренко Н.И., Кравченко В.Ф. Автоэмиссионные наноструктуры и приборы на их
основе. – М.: ФИЗМАТЛИТ, 2006. – 192 с.
481. Дьячков П.Н. Углеродные нанотрубки: строение, свойства, применение / П.Н.
Дьячков. – М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. – 293 с.
482. Н. Кобаяси. Введение в нанотехнологию. – М., БИНОМ, Лаборатория знаний, 2008.
– 134 с.
483. H.F. Gray. // Techn. Dig. of the 11th IVMC’98, 1998, p. 278.
484. J.L. Shaw, H.F. Gray. // Techn Dig. of the 11th IVMC’98, 1998, p. 146.
485. L. Wang, R. Stevans, E. Hug, et al. // JVST, 2004, B22(3), p. 1407-1410.
486. H. Miura, T. Ukeba, H. Shimawaki, K. Yokoo. // JVST, 2004, B22(3), pp. 1218-1221.
487. T. Matzukawa, S. Kanemaru, K. Tokunaga, J. Itoh. // JVST, 2000, B18(2), pp. 1111-1114.
488. M. Ding, H. Kim, A.I. Akinwade. // IEEE El. Dev. Lett., 2000, 21(2), pp. 66-99.
489. V.A. Fedirko, N.A. Duzhev, V.A. Nikolaeva. Suppl a la Revue “Le Vide, les Coushes
Minces”, (papers from the 7th IVMC’94), 1994, 271, p. 158.
490. В.А. Федирко, В.А. Николаева. Полевая эмиссия из кремния. // Математическое
моделирование, 1997, 9(9), с. 75–82.
491. Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. Эмиссионная электроника. – М., Наука, Ф.-М.,
1966. – 564 с.
492. C.В. Поляков, Т.А. Кудряшова, А.А. Свердлин, Э.М. Кононов, О.А. Косолапов.
Параллельный программный комплекс для решения задач механики сплошной
348
среды на современных многопроцессорных системах. // Математическое
моделирование, 2010, 22(6), с. 132-146.
493. М. Шлее. Qt 4.5 Профессиональное программирование на C++. – СПб., «БХВ-
Петербург», 2010. – 896 c.
494. И.В. Попов, С.В. Поляков, Ю.Н. Карамзин. Новый подход к построению треугольных
и тетраэдральных сеток. / Сеточные методы для краевых задач и приложения.
Материалы Четвертого Всероссийского семинара (Казань, 13-16 сентября 2002 г.), с.
84-89. – Казань, Издательство Казанского Математического общества, 2002.
495. I.V. Popov, I.V. Sedykh. Construction of 3D convex and weakly nonconvex hulls in
problems of mathematical physics. // Russ. J. Numer. Anal. Math. Modelling, 2007, 22(6),
pp. 591-600.
496. Si Hang. TetGen: A Quality Tetrahedral Mesh Generator. – http://tetgen.berlios.de/, 2009.
497. С.А. Суков. Параллельные алгоритмы моделирования газодинамического обтекания
тел на нерегулярных тетраэдральных сетках. / Диссертация на соискание ученой
степени канд. физ.-мат. наук по специальности 05.13.18. – М., 2004.
498. PETSc: http://www-fp.mcs.anl.gov/petsc/index.html.
499. P.S. Krinov, S.V. Muravyov, M.V. Iakobovski. Large Data Volume Visualization on
Distributed Multiprocessor Systems. Parallel Computational Fluid Dynamics: Advanced
numerical methods software and applications. Proc. of the Parallel CFD 2003 Conference
Moscow, Russia (May 13-15, 2003) (Ed. By B.Chetverushkin et аl.), Elsevier, Amsterdam,
2004. – pp.433-438.
500. J.R. Lloyd. Electromigration in integrated circuits conductors. // J. Phys. D: Appl. Phys.,
1999, 32, pp. R109-R118.
501. J.R. Lloyd, J. Clemens, R. Snede. Copper metallization reliability. // Microelectronics
reliability, 1999, 39, pp. 1595-1602.
502. J.W. Cahn, J.E. Hilliard. Free Energy of a Nonuniform System. I. Interfacial Free Energy.
// J. Chemical Physics, 1958, 28(2), pp. 258-267.
503. J.W. Barrett, J.F. Blowey. Finite Element Approximation of an Allen-Cahn/Cahn-Hilliard
System. // IMA J. Numer. Anal. 22 (1) (2002), pp. 11-71.
504. D.N. Bhate, A. Kumar, A.F. Bower. Diffuse interface model for electromigration and stress
voiding. J. Applied Physics, 2000, 87(4), p. 1712- 1721.
505. J.A. Sethian. Level Set Methods and Fast Marching Methods: Evolving Interfaces in
Computational Geometry, Fluid Me. Cambridge University Press, 1999. – 400 p.
506. V. Sukharev. Physically-Based Simulation of Electromigration Induced Failures in Copper
Dual-Damascene Interconnect. 5th International Symposium on Quality Electronic Design
(ISQED’04), special issue 2f, 2004, pp. 225-231.
507. V. Sukharev. Physically based simulation of electromigration-induced degradation
mechanisms in dual-inlaid copper interconnects. // IEEE Trans. On CAD of Integrated
Circuits and Systems. 2005, 24(9), pp. 1326-1335.
349
508. V. Sukharev. Simulation of Microstructure Influence on EM-Induced Degradation In Cu
Interconnects. 8th International Stress-Induced Phenomena in Metallization, held 12-14
September 2005 in Dresden, Germany. AIP Conference Proceedings, Vol. 817. Edited by
Ehrenfried Zschech, Karen Maex, Paul S. Ho, and Tomoji Nakamura. – Melville, NY,
American Institute of Physics, 2006, pp. 244-253.
509. С.З. Бокштейн. Диффузия и структура металлов. – М., Металлургия, 1973. – 206 с.
510. Я.Е. Гегузин. Диффузионная зона. – М., Наука, 1979. – 344 с.
511. В.Н. Чеботин. Явления переноса в ионных кристаллах. – Свердловск, Изд-во УрГУ,
1968. – 181 c.
512. В.Н. Чеботин. Химическая диффузия в твердых телах. – М., Наука, 1989. – 208 с.
513. V.I. Lebedev. Extremal polynomials and methods of optimization of numerical algorithms.
// SB MATH, 2004, 195(10), pp. 1413-1459.
Список работ по теме диссертации
A1. S.V. Polyakov. Simulation of steady state characteristics in models with non-local
nonlinearity. Application to the impurity breakdown in GaAs. / In: «Book of Abstracts of
Third International Congress on Industrial and Applied Mathematics», 3-7 July, 1995,
Hamburg, Germany (Ed. J. Sourer), p. 402. – GAMM, Regensburg, 1995.
A2. В.А. Сабликов, С.В. Поляков, О.А. Рябушкин. О механизме низкотемпературного
примесного пробоя. // ФТП, 1996, 30(7), с. 1251-1264. (Из списка ВАК)
A3. V.A. Sablikov, O.A. Ryabushkin, S.V. Polyakov, and V.G. Mokerov. Lateral transfer of
light-induced charge carriers in heterostructures with 2D electron gas. / In:
“Nanostructures: Physics and Technology – 96”, Int. Symposium, St.-Petersburg, Russia,
1996. Abstracts of invited lectures and contributed papers, Russian Academy of Sciences,
1996, pp. 26-29.
A4. В.А. Сабликов, С.В. Поляков, О.А. Рябушкин. Эффект латерального переноса
фотоиндуцированных носителей заряда в гетероструктуре с двумерным
электронным газом // ФТП, 1997, 31(4), с. 393-399. (Из списка ВАК)
A5. V.A. Sablikov, O.A. Ryabushkin, S.V. Polyakov, and V.G. Mokerov. Lateral Transfer of
Light-Induced Charge Carriers and Electric Field in Locally Illuminated Modulation
Doped AlGaAs/GaAs Heterostructures. / In: “Compound Semiconductors 1996”, (Eds. R.
Suris and M. Shur), pp. 941-944. – IOP Publishing Ltd, Bristol and Philadelphia, 1997.
A6. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov. Optical-beam-induced currents in modulation doped
heterostructures. / In: “Nanostructures: Physics and Technology”, 5th Int. Symposium,
St.Petersburg, Russia, June 23-27, 1997, proceedings (Eds. Zh. Alferov and L. Esaki), pp.
555-558. – Published by Ioffe Physico-Technical Institute, St.-Petersburg, 1997.
A7. С.В. Поляков, В.А. Сабликов. Латеральный перенос фотоиндуцирован-ных носителей
заряда в гетероструктурах с двумерным электронным газом // Математическое
моделирование, 1997, 9(12), с. 76-86. (Из списка ВАК)
350
A8. В.А. Федирко, Ю.Н. Карамзин, И.Г. Захарова, С.В. Поляков. Двумерная модель
полевой эмиссии электронов из кремниевого микрокатода. / В сб. “Фундаменталь-
ные физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических
систем” под ред. Л.А. Уваровой, с. 97-105. – М., Изд-во “СТАНКИН”, 1998.
A9. V.A. Sablikov and S.V. Polyakov. Dynamic Conductance of Interacting Electrons in a
Mesoscopic Quantum Wire. // Phys. Low-Dim. Struct., 1998, V. 5/6, pp. 101-110.
A10. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov and B.S. Shchamkhalova. Coulomb interaction and charging
effects in conductance of mesoscopic quantum wire structures. / In: “Nanostructures:
Physics and Technology”, 6th Int. Symposium, St.Petersburg, Russia, June 22-26, 1998,
proceedings (Eds. Zh. Alferov and L. Esaki), pp. 87-90. Published by Ioffe Physico-
Technical Institute, St.-Petersburg, 1998.
A11. В.А. Федирко, Ю.Н. Карамзин, И.Г. Захарова, С.В. Поляков. Параллельный алгоритм
расчета полевой эмиссии из кремниевого микрокатода реальной геометрии. / В сб.
“Фундаментальные физико-математические проблемы и моделирование технико-
технологических систем”, вып. 2, под ред. Л.А. Уваровой, с. 143-150. – М., Изд-во
“СТАНКИН”, 1999.
A12. V.A. Fedirko and S.V. Polyakov. Modelling of 2D Electron Field Emission from Silicon
Microcathode. / In: “Mathematical Models of Non-Linear Excitations, Transfer, Dynamics,
and Control in Condensed Systems and Other Media” (Eds. L.A. Uvarova, A.E.
Arinshtein, and A.V. Latyshev), pp. 221-228. – Plenum press, New York, 1999.
A13. В.А. Федирко, С.В. Поляков, Ю.Н. Карамзин, И.Г. Захарова. Моделирование полевой
эмиссии горячих электронов из кремниевого микрокатода. // Прикладная физика,
1999, вып. 1, с. 102-111. (Из списка ВАК)
A14. V. Fedirko, Yu. Karamzin, S. Polyakov, I. Zakharova. Numerical modelling of 2D field
emission from silicon wedge microcathode. / In: “Recent Advances in Numerical Methods
and Applications II”. (Eds. O.P. Iliev, M.S. Kaschiev, S.D. Margenov, B.H. Sendov and
P.S. Vassilevski), Proc. of Fourth Int. Conf., NMA’98, Sofia, Bulgaria, 19-23 August 1998,
pp. 890-897. – World scientific, Singapore/N-Jersey/London/H-Kong, 1999.
A15. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov. Charging effects in a quantum wire with leads. / In:
“Nanostructures: Physics and Technology”, 7th Int. Symposium, St.Petersburg, Russia,
June 14-18, 1999, Proceedings (Eds. Zh. Alferov and L. Esaki), pp. 463-466. – Published
by Ioffe Physico-Technical Institute, St.Petersburg, 1999.
A16. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov and M. Buttiker. Charging Effects in a Quantum Wire with
Leads. // Cond. Mat., 1999, No. 9908395, 11 pp.
A17. В.А. Федирко, С.В. Поляков. Численное моделирование переноса горячих электронов
в полупроводниковом автоэмиттере. / В сб. “Фундаментальные физико-
математические проблемы и моделирование технико-технологических систем”, вып.
3, под ред. Л.А. Уваровой, с. 117-122. – М., Изд-во “СТАНКИН”, 2000.
A18. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov, M. Buttiker. Charging effects in a quantum wire with leads. //
Phys. Rev. B, 2000, 61(20), pp. 13763-13773.
351
A19. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov. Electron transport in a mesoscopic wire: the charging and
exchange interaction effects. / In: “Nanostructures: Physics and Technology”, 8th Int.
Symposium, St.Petersburg, Russia, June 19-23, 2000, Proceedings (Eds. Zh. Alferov and
L. Esaki), pp. 526-529. – Published by Ioffe Physico-Technical Institute, St.-Petersburg,
2000.
A20. С.В. Поляков. Моделирование на МВС процессов нелинейного электронного
транспорта в квантовых каналах. / В кн. “Высокопроизводительные вычисления и их
приложения: Труды Всероссийской научной конференции (30 октября - 2 ноября
2000 г., г. Черноголовка)”, с. 231-235. – М., Изд-во МГУ, 2000.
A21. V.A. Fedirko, S.V. Polyakov. Hot Electron Transport in Semiconductor Field Microemitter.
/ In: “Fourth All-Russian Seminar on Problems of Theoretical and Applied Electron
Optics”, Anatoly M. Filachev, Editor, Proceedings of SPIE, Vol. 4187 (2000), pp. 94-99.
A22. S.V. Polyakov. A numerical method for simulation of nonlinear electron transport in a
quantum wire. In: Proc. of the 3rd International Conference FDS2000, September 1-4,
2000, Palanga, Lithuania, “Finite Difference Schemes: Theory and Applications”, R.
Ciegis, A. Samarskii and M. Sapagovas (Eds.). – IMI, Vilnius, 2000, pp. 173-180.
A23. В.А. Федирко, С.В. Поляков. Численное моделирование электронного переноса в
полупроводниковом автоэмиттере. // Прикладная физика, 2000, вып. 3, с. 7-13. (Из
списка ВАК)
A24. V.A. Fedirko, S.V. Polyakov. Simulation of semiconductor field emitter array microcell. /
Proc. No. 165 of Int. Conf. “Displays and Vacuum Electronics (DVE 2001)”, May 2-3,
2001, Garmish-ParteanKirche, pp. 431-438.
A25. В.А. Федирко, С.В. Поляков. Моделирование ударной ионизации в полупровод-
никовом автоэмиттере. / В сб. “Фундаментальные физико-математические проблемы
и моделирование технико-технологических систем”, вып. 4, под ред. Л.А. Уваровой,
с. 128-135. – М., Изд-во “СТАНКИН”, 2001.
A26. V.A. Fedirko , Yu.N. Karamzin, and S.V. Polyakov. Simulation of electron transport in
semiconductor microstructures: field emission from nanotip. / In: “Mathematical
Modeling. Problems, Methods, Applications.” (Edited by L.A. Uvarova and A.V.
Latyshev), pp. 79-90, Kluwer Asademic/Plenum Publishers, New York, Boston,
Dordrecht, London, Moscow, 2001.
A27. Т.А. Кудряшова, С.В. Поляков. О некоторых методах решения краевых задач на
многопроцессорных вычислительных системах. / Труды четвертой международной
конференции по математическому моделированию, 27 июня - 1 июля 2000 г., г.
Москва (под ред. Л.А. Уваровой), том 2, с. 134-145. – М., Изд-во “СТАНКИН”, 2001.
A28. S.V. Polyakov. Simulation of nonlinear electron transport in a quantum wires. // Journal of
Computational Methods in Sciences and Engineering (JCMSE). 2002, 2(1s-2s), pp. 207-
212.
352
A29. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, И.В. Попов. Разностные схемы для параболических
уравнений на треугольных сетках. // Известия высших учебных заведений. Серия
Математика, 2003, 1(488), c. 53-59. (Из списка ВАК)
A30. Т.А. Кудряшова, С.В. Поляков. Параллельные алгоритмы решения многомерных
краевых задач для параболических уравнений. / В сб. “Фундаментальные физико-
математические проблемы и моделирование технико-технологических систем”, вып.
6, под ред. Л.А. Уваровой, с. 212-226. – М., Изд-во “Janus-K”, 2003.
A31. Ю.Н. Карамзин, И.В. Попов, С.В. Поляков. Разностные методы решения задач
механики сплошной среды на неструктурированных треугольных и тетраэдральных
сетках. // Математическое моделирование, 2003, 15(11), c. 3-12. (Из списка ВАК)
A32. I.V. Popov, S.V. Polyakov, Yu.N. Karamzin. High Accuracy Difference Schemes On
Unstructured Triangle Grids, In: “Numerical methods and Applications, 5th Int. Conf.,
NMA 2002, Borovets (Bulgaria), August 2002, Revised Papers” (Eds. I. Dimov, I. Lirkov,
S. Margenov, and Z. Zlatev), pp. 555-562. – Springer, Berlin – Heidelberg – New York –
Hong Kong – London – Milan – Paris – Tokyo, 2003.
A33. V.A. Sablikov, S.V. Polyakov. Spin-Charge Structure of Quantum Wires Coupled To
Electron Reservoirs. // International Journal of Nanoscience (IJN), 2003, 2(6), pp. 487-494.
(World Scientific Publishing Company)
A34. В.А. Федирко, С.В. Поляков. Моделирование на МВС устройств вакуумной
микроэлектроники, / В сб. “Фундаментальные физико-математические проблемы и
моделирование технико-технологических систем”, вып. 7, под ред. Л.А. Уваровой. –
М.: Янус-К, ИЦ МГТУ “Станкин”, 2004, с. 138-147.
A35. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, И.В. Попов. Разностные схемы на треугольных сетках
для параболических уравнений общего вида. / В кн. “Сеточные методы для краевых
задач и приложения”, Материалы Пятого Всероссийского семинара, посвященного
200-летию Казанского государственного университета (Казань, 17-21 сентября 2004
г.), c. 97-100. – Казань: Казанский государственный университет, 2004.
A36. С.В. Поляков. Методы решения современных задач микроэлектроники на
многопроцессорных вычислительных системах. / В кн. “Сеточные методы для
краевых задач и приложения”, Материалы Пятого Всероссийского семинара,
посвященного 200-летию Казанского государственного университета (Казань, 17-21
сентября 2004 г.), с. 199-201. – Казань: Казанский гос. университет, 2004.
A37. S.V. Polyakov. Simulation of electron transport in quantum structures. / In: “Mathematical
modeling: modern methods and applications”. The book of scientific articles/edited by
Lyudmila A. Uvarova, pp. 183-195. – Moscow: Yanus-K, 2004.
A38. В.A. Сабликов, С.В. Поляков. Спонтанная спиновая поляризация и электронные
корреляции в мезоскопических квантовых проводах. // Известия академии наук.
Серия физическая, 2004, 68(1), с. 39-41. (Из списка ВАК)
353
A39. С.В. Поляков. Численные методы для моделирования электронных процессов в
квантовых структурах. // Вестник ННГУ. Серия “Математическое моделирование и
оптимальное управление”. 2005, вып. 1(28), c. 200-207. (Из списка ВАК)
A40. С.В. Поляков. Моделирование электронного транспорта в условиях спонтанной
спиновой поляризации. // Вестник ННГУ. Серия “Математическое моделирование и
оптимальное управление”. 2005, вып. 2(29), c. 192-200. (Из списка ВАК)
A41. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, И.В. Попов, Г.М. Кобельков, С.Г. Кобельков, Jun Ho Choy. Моделирование процессов образования и миграции пор в межсоединениях электрических схем. // Математическое моделирование, 2007, 19(10), с. 29-43. (Из списка ВАК)
A42. С.В. Поляков. Экспоненциальные схемы для решения эволюционных уравнений на
нерегулярных сетках. // Ученые записки казанского государственного университета.
Серия “Физико-математические науки”, 2007, т. 149, кн. 4, с. 121-131. (Из списка
ВАК)
A43. С.В. Поляков, В.А. Федирко. Программный комплекс для моделирования катодного
микроузла с полупроводниковым автоэмиттером. // Прикладная физика, 2008, вып.
2, с. 48-55. (Из списка ВАК)
A44. В.А. Федирко, Д.А. Зенюк, С.В. Поляков. Численное моделирование стационарного
туннелирования электронов через потенциальный барьер. / В сб. “Фундаментальные
физико-математические проблемы и моделирование технико-технологических
систем”, вып. 12, под ред. Л.А. Уваровой. Том 1, с. 170-184. – М.: “Янус-К”, 2009.
A45. S. Polyakov, M. Iakobovski. GEOMETRICAL SIMULATION AND VIZUALIZATION
IN NANOELECTRONICS PROBLEMS. // COMPUTER GRAPHICS & GEOMETRY,
2009, Spring, V. 11, N. 1, pp. 44-68. (http://www.cgg-journal.com/2009-1/05/index.html).
A46. С.В. Поляков. Моделирование с помощью МВС процессов электронной эмиссии с
поверхности наноструктур. / Труды Всероссийской суперкомпьютерной
конференции “Научный сервис в сети ИНТЕРНЕТ. Масштабируемость,
параллельность, эффективность” (Абрау-Дюрсо, 21-26 сентября 2009 г.). с. 1-4.
A47. С.В. Поляков, М.В. Якобовский. Геометрическое моделирование и визуализация в задачах современной электроники. // “Научная визуализация”, 2009, 1(1), с. 19-65.
(http://sv-journal.com/2009-1/index.php?lang=ru).
A48. В.А. Федирко, С.В. Поляков, Д.А. Зенюк. Матричный метод для моделирования
туннельного переноса. // Математическое моделирование, 2010, 22(5), с. 3-14. (Из списка ВАК)
A49. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков. Экспоненциальные конечно-объёмные схемы для
решения эллиптических и параболических уравнений общего вида на нерегулярных
сетках. / В кн. “Сеточные методы для краевых задач и приложения. Материалы
Восьмой Всероссийской конференции, посвященной 80-летию со дня рождения А.Д.
Ляшко”, с. 234-248. – Казань, Казанский университет, 2010