Моделирование температурной зависимости темнового тока фотодиодов на основе тройного соединения InAsSb (2023)

Проведен расчет температурной зависимости темнового тока фотодиодов на основе тройного раствора InAs1-хSbх, детектирующих излучение в средневолновой инфракрасной (ИК) области спектра. По рассчитанным значениям темнового и фототока проведена оценка отношения сигнал/шум. Прогнозируемое отношение сигнал/шум составило ~103 при Т = 150 К, что подтверждает возможность достижения высоких фотоэлектрических параметров фотодиодов на основе тройных растворов InAs1-xSbx и пригодность их использования в высокотемпературных применениях.

The temperature dependence of the dark current in InAsSb-based p–n photodiode detecting radiation in the medium-wave infrared (MWIR) region have been calculated, taking into
account material characteristics of InAs1-xSbx alloy. The desired signal-to-noise ratio is ~ 103 at T = 150 K, which confirms the possibility of achieving high photovoltaic parameters in InAs1-xSbx photodiodes and their usage in high-temperature applications.

Тип: Статья
Автор (ы): Яковлева Наталья
Соавтор (ы): Ковшов Владимир Сергеевич

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем
Префикс DOI
10.51368/1996-0948-2023-3-45-54
eLIBRARY ID
54083677
Текстовый фрагмент статьи