ISSN 2072-8921
Язык: ru

Статья: РАЗРАБОТКА СПОСОБА ПОЛУЧЕНИЯ ДИОКСИДА ТИТАНА, ЛЕГИРОВАННОГО МЕДЬЮ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ МЕМРИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ (2024)

Читать онлайн

С каждым годом в мире количество цифровой информации нелинейно возрастает. Эта тенденция делает необходимым поиск новых современных элементов памяти, для чего требуется решение задач материаловедения, в частности отработки технологии осаждения тонких пленок диэлектриков, обладающих принципиально новыми свойствами, обусловленными электромиграцией в них кислородных вакансий или атомов металла. В статье представлены результаты разработки процесса осаждения и исследования пленок диоксида титана модифицированного (легированного) медью для создания на этой базе запоминающих устройств (мемристоров). Построены вольт-амперные зависимости. Показан эффект резистивного переключения. Обнаружено, что из предложенных способов получения диоксида титана приводит к существенному улучшению основных мемристивных характеристик в сравнении запоминающими устройствами на основе диоксида титана без модификации медью. В частности, показано, что использование данных пленок в структуре мемристора позволяет увеличить отношение состояния с высоким электрическим сопротивлением к состоянию с низким электрическим сопротивлением более чем в 102 раз.

Ключевые фразы: эффект резистивного переключения, влияние меди, диоксид титана, тонкие плёнки
Автор (ы): Уразбеков Артур Еркынович, Троян Павел Ефимович, Сахаров Юрий Владимирович
Журнал: ПОЛЗУНОВСКИЙ ВЕСТНИК

Идентификаторы и классификаторы

УДК
539.234. испарением и конденсацией
Для цитирования:
УРАЗБЕКОВ А. Е., ТРОЯН П. Е., САХАРОВ Ю. В. РАЗРАБОТКА СПОСОБА ПОЛУЧЕНИЯ ДИОКСИДА ТИТАНА, ЛЕГИРОВАННОГО МЕДЬЮ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ МЕМРИСТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ // ПОЛЗУНОВСКИЙ ВЕСТНИК. 2024. № 1
Текстовый фрагмент статьи