Влияние низкоинтенсивного облучения на быстродействие КМОП микросхем (2024)

Цель. Проведен анализ процессов деградации КМОП микросхем при воздействии ионизирующего излучения, в котором рассмотрены три процесса дефектообразования в МОП структуре на границе Si-SiO2. Методы. На примере тестовых логических элементов проанализирована зависимость времени условного отказа по быстродействию от мощности дозы гамма-излучения. Результаты. Определен критический дефект на границе Si-SiO2. Заключение. Предлагаемый в статье подход позволяет определить причины отказа КМОП микросхем. Представлен результат расчета времени отказа для трех значений мощности дозы.

Тип: Статья
Автор (ы): Кузьминова Алла Владимировна, Попов Виктор Дмитриевич
Ключевые фразы: МОП транзистор, образование поверхностных дефектов, ионизирую- щее излучение, время переключения логического элемента, прогнозирование отказов, быстродействие логического элемента

Идентификаторы и классификаторы

УДК
004. Информационные технологии. Компьютерные технологии. Теория вычислительных машин и систем
Текстовый фрагмент статьи