В третьей части аналитического обзора системно рассмотрено современное состояние и ключевые проблемы обеспечения отечественных электронных производств материалами в условиях санкционных ограничений. Продолжено детальное рассмотрение мирового и российского производства ключевых радиоэлектронных материалов: органических радиоэлектронных материалов, пьезоматериалах и других. Приведены данные об объёмах рынка, технологических уровнях, основных производителях и имеющихся отечественных разработках. Сформулированы предложения по концентрации усилий на критически важных группах материалов, развитию комплексных (сквозных) проектов, усилению координации между разработчиками аппаратуры и материалов, а также по сотрудничеству с Республикой Беларусь. Обзор предназначен для специалистов в области электронного материаловедения, разработчиков ЭКБ и лиц, принимающих решения в сфере промышленной политики.
Во второй части аналитического обзора системно рассмотрено современное состояние и ключевые проблемы обеспечения отечественных электронных производств материалами в условиях санкционных ограничений. Детально рассмотрено мировое и российское производство ключевых радиоэлектронных материалов: лазерных монокристаллов на основе ИАГ, активированных Nd, Er, Yb, Ce, Cr, Tm, Ho, кварца и других. Приведены данные об объёмах рынка, технологических уровнях, основных производителях и имеющихся отечественных разработках. Сформулированы предложения по концентрации усилий на критически важных группах материалов, развитию комплексных (сквозных) проектов, усилению координации между разработчиками аппаратуры и материалов, а также по сотрудничеству с Республикой Беларусь. Обзор предназначен для специалистов в области электронного материаловедения, разработчиков ЭКБ и лиц, принимающих решения в сфере промышленной политики.
В аналитическом обзоре системно рассмотрено современное состояние и ключевые проблемы обеспечения отечественных электронных производств материалами в условиях санкционных ограничений. Показана эволюция структуры полупроводниковой отрасли от вертикально интегрированных предприятий (IDM) к модели fabless и foundry, а также особенности российской электронной промышленности, унаследованной от СССР. Проанализированы последствия разрушения замкнутой технологической цепочки производства электронной компонентной базы (ЭКБ) в 1990-е годы и последующие попытки её восстановления через федеральные целевые программы. Выполнено сравнение подходов к формированию научно-технических программ в России, США и Китае, выявлены недостатки отечественной системы (отсутствие анализа альтернатив, формальный характер конкурсов, слабая координация). Детально рассмотрено мировое и российское производство ключевых радиоэлектронных материалов: поликремния, монокристаллического кремния, германия, арсенида галлия, антимонидов индия и галлия, а также широкозонных полупроводников (SiC, GaN, Ga₂O₃, алмаз, AlN, BN). Приведены данные об объёмах рынка, технологических уровнях, основных производителях и имеющихся отечественных разработках. Сформулированы предложения по концентрации усилий на критически важных группах материалов, развитию комплексных (сквозных) проектов, усилению координации между разработчиками аппаратуры и материалов, а также по сотрудничеству с Республикой Беларусь. Обзор предназначен для специалистов в области электронного материаловедения, разработчиков ЭКБ и лиц, принимающих решения в сфере промышленной политики.